MOSFET完整形式:什么是电子学中的MOSFET?

MOSFET被广泛用于从基本原理设计各种类型的电路 驱动电路,用于复杂的功率整流器,逆变器等。通常, MOSFET被称为功率电子开关组件(功率 开关),是大功率应用中非常重要的设备。但 我想到的第一个问题是-MOSFET的完整形式是什么?

MOSFET全形

在本文中,我们简要介绍了有关以下内容的最重要的主题: MOSFET,例如完整的MOSFET,什么是MOSFET,其定义是 构造,符号,类型,各种应用程序等等。

MOSFET的完整形式是什么?

MOSFET的完整形式是‘金属氧化物半导体场效应晶体管’。有时,它也称为‘金属氧化物硅场效应 Transistor’。 MOSFET通常定义为主要用于 切换电子信号。它们被广泛应用于电力领域 电子设备,以处理大量功率而闻名。

MOSFET的完整形式可以解释为:

M 金属
O 氧化物
S 半导体
F 场地
E 影响
T 晶体管

现在,让我们了解什么是MOSFET:

什么是MOSFET?

MOSFET主要定义为一种特定类型的场效应晶体管 用于切换或放大电子信号。 MOSFET主要是​​设计 消除FET的缺点,包括适度的输入 阻抗,高漏极电阻和较慢的操作。实际上, MOSFET是FET的高级版本。


特别是,MOSFET是由四个端子组成的器件,例如 源极,漏极,栅极和主体端子。但是,身体通常是附着的 到源极端子,这使MOSFET成为类似于 其他场效应晶体管。由于这两个端子是相互连接的, 其电气图具有三个可见端子。  

MOSFET通过改变载流子通过的沟道的宽度来工作,例如 作为空穴或电子流动。通道是通过应用 栅极电压。通道越宽或栅极电压越高, 设备的性能越好。电荷载流子进入通道 源极端子,并通过漏极端子退出。

MOSFET的构造

就结构而言,MOSFET与FET的结构有点相似 (场效应晶体管)。但是,MOSFET具有额外的氧化物层 附着到衬底,衬底还与栅极端子连接。 MOSFET中存在的氧化层用作绝缘体(二氧化硅 与基板绝缘),因此MOSFET也称为 IGFET(绝缘栅场效应晶体管).

在MOSFET中,轻掺杂衬底扩散到重掺杂区域。 根据构造MOSFET时使用的衬底类型,他们称 分为N型和P型MOSFET。 

下图显示了MOSFET的结构图:

MOSFET的构造

施加到栅极的电压负责控制操作 MOSFET的。特别是,正电压和负电压都可以是 之所以应用,是因为栅极与通道完全绝缘。当有 如果是正的栅极偏置电压,则MOSFET用作增强模式。 此外,在负栅极偏置电压的情况下,它用作耗尽模式。

MOSFET的分类

根据功能和操作类型,主要对MOSFET进行分类 分为两种类型,例如 耗尽型MOSFET(D-MOSFET) and 增强模式MOSFET(E-MOSFET)
MOSFET的分类

让我们简要介绍每种类型:

耗尽型MOSFET

在耗尽型MOSFET中,通道已经建立并且 即使零电压或零电压也表现出最大的导电性 在门口。此外,当电压为正或 负,施加在栅极端子上,沟道电导率 decreases.

耗尽型MOSFET可进一步细分为以下两种类型 在用于掺杂结构的材料(n型或p型)上:

N沟道耗尽型MOSFET
P沟道耗尽型MOSFET

增强型MOSFET

增强型MOSFET与耗尽型MOSFET相反。在 增强型MOSFET,该器件通常在不存在时不导通 端子上的栅极电压的变化。此外,当栅极电压为 应用后,便建立了一个渠道。在这种情况下,该设备具有增强的功能 栅极端子两端的最大电压具有导电性。 

在增强型MOSFET中,栅极电压与电流成正比。 随着栅极电压的增加,电流随之不断增加,并且 反之亦然。同样重要的是在这里要注意栅极电压必须为 正电压并超过电源电压。

像耗尽MOSFET一样,增强MOSFET也细分为两个 基于掺杂材料的不同类型。他们是:

N沟道耗尽型MOSFET
P沟道耗尽型MOSFET


MOSFET的符号

如上所述,有四种不同类型的MOSFET。现在让我们 讨论每种MOSFET的符号:
 

N沟道MOSFET

N沟道MOSFET缩写为 NMOS。对于N沟道MOSFET,两种模式下的符号,例如耗尽和 增强功能如下:

N型MOSFET的符号

P沟道MOSFET

P沟道MOSFET的缩写为 功率MOS。对于P沟道MOSFET,两种模式下的符号,例如耗尽和 增强功能如下:

P型MOSFET的符号

在这四种类型的MOSFET中,N沟道增强MOSFET是 MOSFET的广泛使用类型。根据MOSFET的结构,栅极 (G),源极(S)和漏极(D)引脚以耗尽状态物理连接 模式。在相反的一侧,相同的引脚在物理上分开 增强模式。这就是为什么符号在 MOSFET的增强模式。

MOSFET的应用

以下是MOSFET的主要应用:

使用MOSFET制造的放大器广泛用于无线电 频率应用。
MOSFET的功能类似于无源元件,例如 电感器,电阻器和电容器。
借助功率MOSFET,可以将DC(直流)电动机 easily regulated.
由于开关速度高,MOSFET被认为是最好的 斩波电路的制造选择。
MOSFET被广泛用作各种器件的开关,例如 LED,Arduino,交流负载,直流电动机,微控制器等。


MOSFET的优点

MOSFET的优点如下:

MOSFET可以帮助实现更高的效率,即使它们在 lower voltages.
MOSFET可以在相对较低的功率下工作而不会消耗太多功率 current.
当没有栅极电流时,MOSFET通常会实现高输入 阻抗,从而实现高开关速度。

MOSFET的缺点

以下是MOSFET的缺点:

在存在过载电压的情况下,MOSFET通常变为 unstable.
由于MOSFET的氧化层很薄,因此它们很脆弱并且可能 静电引起的永久损坏。

概括

MOSFET(代表金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种 特殊类型的压控场效应晶体管,主要有助于 放大和切换电子信号。它通常分为两个功能 方式,例如耗尽模式和增强模式。





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